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DDR4 堆叠模组热仿真:分析与散热提升方案

出处:维库电子市场网 发布于:2025-08-18 17:03:49

电子设备的研发与设计中,散热问题一直是影响设备性能和可靠性的关键因素。尤其是随着电子技术的不断发展,电子设备的集成度越来越高,功率密度也越来越大,散热问题变得愈发严峻。在这种背景下,热阻作为衡量材料或系统对热量传递阻碍能力的重要物理量,在电子设备的散热设计中具有至关重要的地位。

热阻的基本概念与公式


热阻(Thermal Resistance)是热传递路径上的 “阻力标尺”,类似于电路中的电阻限制电流,热阻限制热流。其定义为物体两端温度差(ΔT,单位:℃或 K)与通过它的热功率(P,单位:瓦特,W)的比值,数学表达式为:Rθ = ΔT / P。热阻越大,热越不容易传导,物体温度就会越高。例如,若某散热器的热阻为 0.5℃/W,当芯片功耗为 10W 时,散热器两端温差将达 5℃。

常见热阻参数解析

结到外壳的热阻(RθJC)


芯片内部发热结(Junction)与封装外壳(Case)之间的热阻,反映封装内部的导热能力。计算公式为 RθJC = (Tj - Tc) / PH,通常在标准冷却条件(如强制风冷)下测量,外壳需与散热器紧密接触。其影响因素包括基板材料(陶瓷 / 塑料 / 金属)、TIM(导热界面材料)性能、芯片与基板的连接工艺(如焊线、倒装焊)等。典型值方面,陶瓷封装(如 QFN)可能低至 1 - 5℃/W,塑料封装(如 LQFP)可能高达 10 - 30℃/W。

结到环境热阻(RθJA)


芯片结到周围环境的总热阻,综合反映封装、PCB、散热器及空气对流的散热能力。计算公式为 RθJA = (Tj - TA) / PH,测试条件分为自然对流(RθJA - NA)和强制风冷(RθJA - FA),结果差异显著。影响因素有 PCB 铜箔面积、散热孔设计、空气流动速度、封装高度(如 BGA 比 QFN 更易散热)等。小封装(如 SOT - 23)可能高达 200 - 500℃/W,大功率封装(如 TO - 220)可能低至 10 - 30℃/W。

结到板热阻(RθJB)


芯片结到 PCB 板(Board)的热阻,反映热量通过封装底部传导至 PCB 的能力。计算公式为 RθJB = (Tj - TB) / PH,测量时芯片底部与 PCB 紧密接触,测量点位于 PCB 下方特定距离(如 1mm 或 2mm)。影响因素包括封装底部金属层厚度、PCB 铜箔面积和层数、焊盘设计等。带散热焊盘的 QFN 封装可能低至 10 - 20℃/W,无焊盘的 SOP 封装可能高达 50℃/W 以上,适用于优化 PCB 散热设计,尤其适用于无散热器的密闭空间设备。

外壳到散热器热阻(RθCS)


封装外壳与散热器之间的热阻,反映接触界面的导热效率。计算公式为 RθCS = (TC - TCS) / PH,影响因素有接触压力、导热膏 / 垫的材质与厚度、表面粗糙度等。优质导热膏(如硅脂)可将 RθCS 降至 0.1 - 0.5℃/W,而空气间隙可能导致 RθCS 超过 1℃/W,可用于指导散热器安装工艺,避免因接触不良导致散热失效。

结到顶部热阻(RθJT)


芯片结到封装顶部的热阻,反映热量通过封装顶部散出的效率。计算公式为 RθJT = (Tj - Tt) / PH,适用于顶部散热设计(如加装或风扇),常见于高功率 或。金属顶盖封装(如 TO - 247)可能低至 5 - 10℃/W,塑料封装可能高达 50℃/W 以上。

DDR4 堆叠热仿真分析


以公司的一款 DDR4 芯片为例,该芯片采用 9 片 die 堆叠设计,采用两半(4 个 die 和 5 个 die)进行堆叠。


本次仿真采用 Ansys Icepak 进行模拟,评估 BGA321 封装在不同热路径下的热阻性能。仿真条件为环境温度 25℃,功率 6.75W,PCB 类型 2s2p,散热方式为自然对流。

RθJA


在 JA 环境中,温在 5 个芯片堆叠的芯片上表面,计算可得热阻 JA 为 17.55℃/W。RθJA 反映了芯片到环境空气的整体散热能力,在自然对流条件下 RθJA 的典型值为 20 - 100℃/W。该芯片 RθJA 小于典型值,说明热量更容易散热到环境当中,芯片有很好的环境散热性能。

RθJB


在 JB 环境中,温在 5 个芯片堆叠的芯片上表面,计算得热阻 JB 为 11.61℃/W。RθJB 表示芯片通过封装底部向 PCB 传递热量的能力,在自然对流条件下,RθJB 典型值为 5 - 20℃/W。该芯片 RθJB 在典型值范围内,说明芯片通过 PCB 板散热的能力较好,适用于高功率场景。

RθJC


在 JC 环境中,温在 5 个芯片堆叠的芯片底面,计算得热阻 JC 为 3.65℃/W。RθJC 是芯片到封装外壳的热阻,在自然对流条件下,RθJC 典型值为 1 - 10℃/W。该芯片 RθJC 在典型范围内,说明芯片通过封装外壳散热的性能较好,封装导热性好,便于安装散热器和导热垫。

热性能优化建议

改进 PCB 设计


可以使用高导热材料或者增加散热层,提高 PCB 覆铜率来提高 PCB 面热导率。如提高覆铜率至 80%,PCB 面内热导率可以提升至 150W/m*K,预计可以降温 6℃ - 8℃。

优化塑封料


当前塑封料热导率较低,为 1W/mK,根据傅里叶热传导定律,计算出当前塑封料热阻为 4.8℃/W,占系统总热阻的 27%。可以尝试将塑封料热导率提升至 5W/mK,预计结温可以降低 5℃左右。

优化散热路径


当前 RθJC 为 3.65℃/W,说明封装顶部是高效散热路径。可以添加顶部散热器,或者采用高导热界面材料,来进一步优化散热降低结温。

关键词:DDR4

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